学者知网节

【姓名】	黄雒光
【职称】	教授;
【研究领域】	无线电电子学;电信技术;计算机软件及计算机应用;
【研究方向】	半导体器件研发与应用
【发表文献关键词】	内匹配,功率晶体管,微波脉冲,微波,发射极,输出功率,集电,极效率,基区,内匹配网络,晶体管,镇流电阻,S波段,管壳,发射极结构,发射区,延迟时间,势垒电容,大信号,微波晶体管,
【工作单位】	中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】	中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】	石家庄

中国期刊全文数据库 共找到8篇

[1]高永辉;徐守利;银军;赵夕彬;陈欣华;黄雒光;崔玉兴;.P波段3kW GaN功率器件的研制[J]半导体技术.2021,(01)

[2]李剑锋;银军;余若祺;梁青;默江辉;黄雒光;.X波段1000W大功率内匹配功率器件研制[J]通讯世界.2019,(06)

[3]张艺;黄雒光;潘宏菽;.微波高增益低噪声晶体管研制[J]电声技术.2019,(06)

[4]斛彦生;余若祺;银军;张志国;李静强;黄雒光;.S波段GaN高效率内匹配功率放大器的设计与实现[J]通讯世界.2017,(12)

[5]任俊华;李用兵;刘晓峰;余若祺;黄雒光;.S波段GaN微波功率管脉冲射频加速寿命试验[J]半导体技术.2016,(05)

[6]徐守利;刘英坤;黄雒光;胡顺欣;邓建国;潘茹;.1.2～1.4GHz 300W宽带硅大功率双极晶体管研制[J]半导体技术.2011,(05)

[7]黄雒光;董四华;刘英坤;郎秀兰;.L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验[J]半导体技术.2009,(05)

[8]黄雒光,赵丽华,刘英坤,张鸿亮,潘茹.2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管[J]半导体技术.2004,(12)

中国重要会议全文数据库 共找到1篇

[1]郎秀兰;段雪;刘英坤;邓建国;胡顺欣;刘忠山;李明月;潘茹;黄雒光;张晓帆;.P波段350 W LDMOS功率管研制[A].2010’全国半导体器件技术研讨会论文集.2010-07-16

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