郝景臣
【姓名】 郝景臣
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 孔,隔离度,夹断电压,SI-GaAs,微缺陷,跨导,ABEPD,PLmapping,衬底,LECSI-GaAs,平面化,接触电阻,漏电流,位错,互连孔,互连技术,平坦化,MESFET器件,GaAs衬底...
【工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】 河北石家庄
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[1]徐岳生,付生辉,刘彩池,王海云,魏欣,郝景臣.LEC SI-Ga As中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响[J]稀有金属.2004,(03)
[2]徐岳生,付生辉,刘彩池,王海云,魏欣,郝景臣.半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响[J]半导体学报.2005,(01)
[3]廉亚光,郝景臣,张豫黔.多层平坦化互连技术[J]半导体情报.2000,(05)
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