成英
【姓名】 成英
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaAs FET,数/模IC,LSI,绝缘体上Si,光通信,MOSFET,低功耗,CMOS,浮体效应,SOI晶片,阈值电压,漏电流,全耗尽,高速化,GaAs,电源电压,HEMT,开发现状,短沟效应,部...
【工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】 河北石家庄
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[1]成英.SOICMOS的开发现状和21世纪的展望[J]半导体情报.2000,(06)
[2]成英.用于光通信的GaAs集成电路[J]半导体情报.2001,(06)
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