钟怡
【姓名】 钟怡
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SiGe,异质结双极晶体管,平面集成,多晶硅发射极,电流增益,基区复合电流,器件,砷注入,禁带宽度,注入能量,直流增益,杂质浓度,研制,注入剂量,光刻,反向击穿电压,注入效率,基极电流,注入条件,发射...
【工作单位】 中国电子科技集团第二十四研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第二十四研究所;
【所在地域】 重庆
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/13 4 4 1 12 474
中国期刊全文数据库    共找到6篇
[1]唐昭焕;甘明富;钟怡;谭开洲;刘勇;杨永晖;胡刚毅;徐学良;李荣强;.基于多晶外基区及SIC技术的高速NPN管设计[J]微电子学.2011,(02)
[2]钟怡;许国磊;欧宏旗;义岚;刘嵘侃;.一种提高ESD性能的高压SBD器件结构研究[J]微电子学.2012,(02)
[3]唐昭焕;谭开洲;崔伟;张静;钟怡;徐世六;郝跃;张鹤鸣;胡辉勇;张正璠;胡刚毅;.A 150%enhancement of PMOSFET mobility using hybrid orientation[J]半导体学报.2012,(06)
[4]崔伟;唐昭焕;谭开洲;张静;钟怡;胡辉勇;徐世六;李平;胡刚毅;.A strained Si-channel NMOSFET with low field mobility enhancement of about 140% using a SiGe virtual substrate[J]半导体学报.2012,(09)
[5]赵安邦;谭开洲;吴国增;李荣强;张静;钟怡;刘道广;.一种具有高电流增益的平面集成SiGe HBT[J]微电子学.2006,(05)
[6]谭开洲;胡刚毅;杨谟华;徐世六;张正璠;刘玉奎;何开全;钟怡;.一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究[J]物理学报.2008,(03)
更多