李中江
【姓名】 李中江
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 负阻晶体管,击穿,MOS场效应晶体管,电压控制,负阻,功率晶体管,微分,VDMOS,集电极,漏压,MOS器件,优化分析,典型参数,双极器件,电工厂,二维数值模拟,数值模拟,外延层,饱和区,击穿区,双极...
【工作单位】 西安卫光电工厂
【曾工作单位】 西安卫光电工厂;
【所在地域】 西安
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[1]李中江,段力军,姚勤泽,郭印文,薛发尤.电压控制微分负阻晶体管[J]半导体技术.1985,(03)
[2]刘晓梅,胡蓉香,罗晋生,李中江.VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析[J]电子科学学刊.1991,(06)
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