黄胜明
【姓名】 黄胜明
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 辐照效应,CMOS电路,计算机模拟分析,瞬态辐照,抗核加固,抗闩锁,源结构,CMOS闩锁模型,辐照,闩锁,计算机模拟,闩锁效应,研究工作,CMOS,半导体器件,程序模拟,应用电路,体硅,接触端,电路,...
【工作单位】 西安骊山微电子公司
【曾工作单位】 西安骊山微电子公司;
【所在地域】 陕西临潼
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[1]黄胜明,宋钦歧,张正德,黄敞.CMOS IC瞬时辐照效应的计算机模拟[J]固体电子学研究与进展.1988,(04)
[2]黄胜明,宋钦歧,张正德,黄敞.CMOS电路瞬时辐照效应的计算机模拟分析[J]微电子学.1988,(06)
[3]黄胜明,宋钦岐.提高CMOS电路抗闩锁能力的阱源结构设计[J]半导体技术.1989,(02)
[4]黄胜明,宋钦岐,张正德,陈建词.瞬态辐照环境下的电路分析程序LSTRAC—2[J]微电子学与计算机.1989,(12)
[5]黄胜明,宋钦岐.CMOS闩锁效应模型分析及计算机模拟[J]微电子学.1990,(03)
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