李云樵
【姓名】 李云樵
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 量子阱,特性分析,工艺研究,管芯,致冷激光器,无致冷,器件特性,腔压,掺杂源,武汉电信,外延片,阈值,温度特性,生长程序,自力,端面镀膜,激光器,二次外延,光谱半宽,宽接触,
【工作单位】 武汉电信器件公司
【曾工作单位】 武汉电信器件公司;
【所在地域】
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[1]金锦炎，李同宁，刘涛，李云樵，王任凡，刘自力.1．3μm量子阱LD的工艺研究和特性分析[J]光通信研究.1995,(02)
[2]刘涛;李同宁;金锦炎;李云樵;刘自力;王任凡;沈坤;.用LP-MOCVD对InGaAs(P)/InP材料的工艺研究[J]光通信研究.1995,(04)
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