李同宁
【姓名】 李同宁
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 量子阱,特性分析,长波长,工艺研究,管芯,多量子阱激光器,光学限制因子,致冷激光器,半导体工艺,无致冷,激光器,InGaAs,半导体器件,势垒,多量子阱,器件特性,增强层,外延片,腔压,武汉电信,量子...
【工作单位】 武汉电信器件公司
【曾工作单位】 武汉电信器件公司;
【所在地域】 武汉
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[1]李同宁，刘涛，金锦炎，丁国庆，郭建委，胡常炎，吴桐，李明娟，赵俊英，魏泽民.长波长量子阱LD的实用化研究[J]光通信研究.1995,(02)
[2]金锦炎，李同宁，刘涛，李云樵，王任凡，刘自力.1．3μm量子阱LD的工艺研究和特性分析[J]光通信研究.1995,(02)
[3]刘涛;李同宁;金锦炎;李云樵;刘自力;王任凡;沈坤;.用LP-MOCVD对InGaAs(P)/InP材料的工艺研究[J]光通信研究.1995,(04)
[4]杨新民,金锦炎,周宁,刘涛,刘坚,李同宁.高功率1310nm多量子阱分布反馈激光器[J]半导体光电.1996,(03)
[5]朱红卫,史常忻,陈益新,李同宁.极低暗电流InGaAs MSM-PD的光电特性研究[J]半导体学报.1997,(01)
[6]张哲民,黄德修,李同宁.单量子阱激光器的结构设计与分析[J]高技术通讯.1997,(07)
[7]李同宁.长波长量子阱激光器的理论与应用[J]光通信研究.1993,(03)
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