项兴荣
【姓名】 项兴荣
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 压阻力,高压硅堆,高温传感器,CVD技术,少数载流子寿命,扩散型,快恢复,多晶硅,特种高压硅堆,硅堆,电视机,控制技术,雪崩击穿,复合中心,设计与工艺,高压二极管,微波炉,少子寿命,能级,反向恢复时间...
【工作单位】 天津市中环半导体公司
【曾工作单位】 天津市中环半导体公司;
【所在地域】 天津
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[1]项兴荣.特种高压硅堆的结构设计[J]半导体技术.1994,(05)
[2]项兴荣.特种高压硅堆的应用领域和电参数的设计测试[J]半导体技术.1995,(01)
[3]项兴荣.高压硅堆在电力系统直流高电压电气试验装置中的应用[J]半导体技术.1996,(03)
[4]项兴荣.雪崩击穿特性的高压硅二极管[J]半导体技术.1997,(05)
[5]项兴荣.CVD技术在扩散型多晶硅压阻力敏感高温传感器制造中的应用[J]半导体技术.1990,(06)
[6]项兴荣.硅中少数载流子寿命控制技术及在电视机用高压快恢复器件中的应用[J]半导体技术.1993,(02)
[7]项兴荣.微波炉用高压硅堆的设计与工艺[J]半导体技术.1993,(05)
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