车经国
【姓名】 车经国
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 量子阱混合,PECVD,等离子体增强,电子谱,X射,空位扩散,线光,电介质膜,化学气相沉积,带隙蓝移,无杂质,光子集成,电介质薄膜,新技术,XPS研究,SiO2薄膜,InGaAsP,GaAs,含磷组,...
【工作单位】 天津第四半导体器件厂
【曾工作单位】 天津第四半导体器件厂;
【所在地域】 天津
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[1]王永晨,杨格丹,赵杰,车经国,张淑云.PECVD沉积SiOP电介质膜及其XPS研究[J]光电子·激光.2004,(11)
[2]杨格丹,王永晨,赵杰,车经国,张淑云.一种增强量子阱混合的新技术[J]光子技术.2004,(03)
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