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刘俊奇
【姓名】
刘俊奇
【职称】
【研究领域】
化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
永磁场直拉(PMCZ)炉,氧杂质,热对流,硅中氧,熔体,电阻率,单晶,晶体,固液界面,半导,对流搅拌,磁环,晶转,氧浓度,杂质,均匀性,辐射状,生长速率,生长晶体,体材料,
【工作单位】
天津半导体材料厂
【曾工作单位】
天津半导体材料厂;
【所在地域】
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[1]张维连,孙军生,张恩怀,李嘉席,吴小双,高树良,胡元庆,刘俊奇.
用PMCZ法生长的单晶硅中氧和电阻率的均匀性
[J]材料研究学报.2001,(04)
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研究方向相近的学者
(学者,学者单位)
高树良
天津半导体材料厂
胡元庆
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吴小双
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合作过的学者
(学者,学者单位,篇数)
张恩怀
河北工业大学
1
高树良
天津半导体材料厂
1
吴小双
天津半导体材料厂
1
孙军生
河北工业大学
1
胡元庆
天津半导体材料厂
1
张维连
河北工业大学
1
李嘉席
河北工业大学
1
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1
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吴双应
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