冯长川
【姓名】 冯长川
【职称】
【研究领域】 仪器仪表工业;无线电电子学;计算机硬件技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 表面轮廓,椭偏仪,离子注入,薄膜厚度,监测技术,均匀性,性能简介,微电脑,零式,布测,台阶测试,技术公司,样品台,标准样品,校平,折射率,仪器,台阶,标称厚度,表面轮廓仪,消光,标准参考样品,薄膜厚度...
【工作单位】 苏州半导体总厂
【曾工作单位】 苏州半导体总厂;
【所在地域】
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[1]冯长川.国外薄膜厚度及表面轮廓分布仪概况[J]半导体技术.1986,(05)
[2]冯长川.国外椭偏仪性能简介[J]半导体技术.1987,(06)
[3]冯长川.离子注入剂量精度及均匀性的监测技术[J]电子工业专用设备.1988,(02)
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