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尚德颖
【姓名】
尚德颖
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
晶格应变,扩展电阻,注入硅,电学特性,离子注入,离子注,注入层,损伤度,最大应变,应变函数,点缺陷,退火温度,X射线衍射,电学性质,力学,N+注入,不同剂量,冶金机械,注入深度,专科学校,电阻率,X射...
【工作单位】
沈阳市冶金机械专科学校
【曾工作单位】
沈阳市冶金机械专科学校;
【所在地域】
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[1]尚德颖,陈桂菊,丁育胜,裴永伟,王国权,吴振声,马德录.
N~+和N_2~+注入硅的应变、应力和扩展电阻
[J]稀有金属.1990,(06)
[2]马德录,毛晓峰,尚德颖.
N~+和N_2~+注入Si的力学和电学特性
[J]半导体学报.1990,(08)
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