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裴永伟
【姓名】
裴永伟
【职称】
【研究领域】
机械工业;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
扩展电阻,注入硅,离子注,损伤度,最大应变,应变函数,退火温度,点缺陷,离子注入,N+注入,不同剂量,冶金机械,注入层,专科学校,X射线,XRD曲线,晶格收缩,应力分布,晶格应变,薄层,
【工作单位】
沈阳市冶金机械专科学校
【曾工作单位】
沈阳市冶金机械专科学校;
【所在地域】
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[1]尚德颖,陈桂菊,丁育胜,裴永伟,王国权,吴振声,马德录.
N~+和N_2~+注入硅的应变、应力和扩展电阻
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尚德颖
沈阳市冶金机械专科学校
1
王国权
沈阳市冶金机械专科学校
1
吴振声
沈阳市冶金机械专科学校
1
陈桂菊
沈阳市冶金机械专科学校
1
丁育胜
沈阳市冶金机械专科学校
1
马德录
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