冯骏
【姓名】 冯骏
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 晶片,位错坑,位错,二次缺陷,裂纹图形,锗单晶,应力位错,器件工艺,锗器件,扩散工艺,裂纹线,热过程,抛光,千分表,硅器件,诱生,冲击试验,冶炼厂,模拟试验,晶片尺寸,
【工作单位】 上海冶炼厂
【曾工作单位】 上海冶炼厂;
【所在地域】
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[1]罗志华,虞君耐,冯骏,薛汉臣,蔡熔.对锗单晶二次缺陷的初步探讨[J]稀有金属.1984,(03)
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