黄榕旭
【姓名】 黄榕旭
【职称】 工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 大规模集成电路制造及工艺集成工作
【发表文献关键词】 平行化器,阶梯覆盖,浸润层,退火,RTP,硅化物,平坦化,阻挡层,铜布线,互连薄膜,镶嵌技术,肖特基,介质材料,化学机械抛光,肖特基势垒,铝金属化,IC器件,空洞,应力,晶粒生长,扫描电镜,接触孔,晶...
【工作单位】 上海先进半导体制造股份有限公司
【曾工作单位】 上海先进半导体制造股份有限公司;
【所在地域】 上海
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[1]刘键,黄榕旭,蒋聚小,郑国祥.IC工艺中互连薄膜晶粒生长的实验和理论模型[J]固体电子学研究与进展.2003,(04)
[2]梁京,黄榕旭,郑国祥,林健,庞海舟,宗祥福.亚微米IC器件中接触孔的填充和铝金属化工艺的技术[J]半导体学报.2000,(06)
[3]张兆强,郑国祥,黄榕旭,杨兴,邵丙铣,宗祥福.铜互连布线及其镶嵌技术在深亚微米IC工艺中的应用[J]固体电子学研究与进展.2001,(04)
[4]黄榕旭,蒋聚小,郑国祥,俞宏坤,任云珠,徐蓓蕾.VLSI中钛硅化物肖特基接触特性与退火条件[J]固体电子学研究与进展.2001,(04)
[5]蒋聚小,郑国祥,黄榕旭,宗祥福.Ti/Al/TiN金属化结构中应力空洞的形成机理[J]固体电子学研究与进展.2002,(04)
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