刘云书
【姓名】 刘云书
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无机化工;无线电电子学;电力工业;
【研究方向】 过电子陶瓷材料和器件的试制及技术管理工作
【发表文献关键词】 抗热震机理,α-Al_2O_3,电路基片,压电陶瓷材料,残存强度,发展概况,电子陶瓷材料,抗热震,动线,厚膜,临界温差,Al_2O_3瓷,裂纹扩展,温差,陶瓷,陶瓷产品,断裂能,抗热震性,工艺技术,L...
【工作单位】 上海无线电一厂
【曾工作单位】 上海无线电一厂;
【所在地域】
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[1]张清纯,林素贞,姚晓明,刘云书.Al_2O_3质厚膜电路基片的抗热震机理[J]硅酸盐学报.1985,(03)
[2]刘云书.日本电子陶瓷材料与工艺的发展概况[J]电子元件与材料.1986,(03)
[3]刘云书,姚晓明.一种质优价廉的α-Al_2O_3[J]电子元件与材料.1987,(02)
[4]郑耀文,刘云书.适应金属膜电阻器自动线多规格生产的途径——批量自动区分装置[J]电子元件与材料.1988,(03)
[5]施济民,张清纯,刘云书.直流电场对LiNbO_3晶体亚临界裂纹扩展的影响[J]硅酸盐学报.1989,(01)
[6]郭小渝,刘云书.表面层半导体陶瓷电容器材料的研制[J]电子元件与材料.1992,(04)
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