伍成烈
【姓名】 伍成烈
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 NTD硅,弯曲度,测量装置,千分表,硅单晶,单晶,器件制造,测量头,半导体器件,中子嬗变掺杂,平整度,支点,抛光,切割刀具,进刀速度,金属底座,等间距,成品率,光刻工艺,片接,参考面,高硅,进行测量,...
【工作单位】 上海无线电十七厂
【曾工作单位】 上海无线电十七厂;
【所在地域】
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[1]伍成烈.硅片弯曲度测量装置[J]半导体技术.1983,(02)
[2]伍成烈.NTD硅在半导体器件中的应用[J]半导体技术.1984,(02)
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