华铭
【姓名】 华铭
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 掺杂,Mg,GaP,InGaAlP,GaP材料,再蒸发,填隙机,激活能,掺杂行为,复旦大学,材料科学,激活率,生长面,SIMS,波尔兹曼常数,MOCVD,载流子浓度,Chinese,衬底温度,生长速率,
【工作单位】 上海华亿光电子有限公司
【曾工作单位】 上海华亿光电子有限公司;
【所在地域】 上海
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[1]纪刚,李越生,曹永明,华铭.Mg在InGaAlP及GaP材料中的掺杂行为[J]半导体学报.2001,(06)
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