赵毅
【姓名】 赵毅
【职称】 工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 CMOS器件与工艺的开发工作
【发表文献关键词】 高介电常数材料,离子损伤,介电层,MOS器件,栅极,电迁移,栅介质,可靠性测试,等离子,多晶硅,可靠性,Al2O3,氧化硅,金属互连线,高K,击穿电压,栅氧可靠性,击穿电量,栅介质层,电压扫描,电流扫...
【工作单位】 上海华虹NEC电子有限公司
【曾工作单位】 上海华虹NEC电子有限公司;
【所在地域】 上海东京
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[1]赵毅;万星拱;徐向明;曹刚;卜皎;.用不同方法评价0.18μm CMOS工艺栅氧击穿电压和击穿电量(英文)[J]半导体学报.2006,(02)
[2]赵毅.高K栅介质研究进展[J]半导体技术.2004,(05)
[3]赵毅,徐向明.硅片级可靠性测试[J]半导体技术.2004,(11)
[4]赵毅,徐向明.MOS器件中的等离子损伤[J]半导体技术.2004,(08)
[5]赵毅,曹刚,徐向明.多晶硅加热法评价金属互连线电迁移寿命[J]半导体学报.2005,(08)
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