董业民
【姓名】 董业民
【职称】 工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 埋氧层,DSOI,SIMOX,深亚微米,膜尺寸,埋层,图形化,工艺基础,氧化硅,低剂量,低能量,技术实现,小尺寸,形貌,结果为,掩膜,SOI技术,SOI材料,浮体效应,半导体制造,
【工作单位】 上海宏力半导体制造有限公司
【曾工作单位】 上海宏力半导体制造有限公司;
【所在地域】 上海
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[1]王俊;董业民;邹欣;邵丽;李文军;杨华岳;.高压MOS晶体管双峰衬底电流分析及优化[J]半导体技术.2008,(04)
[2]王俊;王磊;董业民;邹欣;邵丽;李文军;杨华岳;.高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响[J]物理学报.2008,(07)
[3]陶凯,董业民,易万兵,王曦,邹世昌.应用于深亚微米DSOI器件的埋氧层的制备[J]半导体学报.2005,(06)
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