李积和
【姓名】 李积和
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 软损伤,氧化层错,软损伤吸杂,外吸除,吸杂,多晶硅,增强吸杂,氧沉淀,S坑缺陷,氧化诱生层错,内吸杂,内吸除,机械损伤,多晶硅吸杂,洁净层,透射电镜,热氧化,作用机构,层错,择优腐蚀,吸除,ATEM,...
【工作单位】 上海硅材料厂
【曾工作单位】 上海硅材料厂;
【所在地域】 上海
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[1]夏玉山,陈一,宗祥福,李积和.软损伤吸杂作用机构的分析[J]固体电子学研究与进展.2000,(02)
[2]闵靖,邹子英,李积和,周子美,陈青松,陈一.外吸除用硅片背面加工技术的研究[J]稀有金属.2001,(05)
[3]闵靖,邹子英,李积和,陈青松,周子美,陈一.淀积在硅片上起杂质吸除用的多晶硅的研究[J]功能材料与器件学报.2001,(04)
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