晃宽
【姓名】 晃宽
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 栅长,nMOSFET,CMOS工艺,nMOS,pMOSFET,寄生电阻,微细化,CMOS,乘法器,高速化,双极型,短沟效应,有效沟道长度,前结构,电源电压,功耗,漏电流,漏区,多晶硅,晶体管,
【工作单位】 日本东芝公司
【曾工作单位】 日本东芝公司;
【所在地域】
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[1]仁田山,晃宽,徐增禧.0.5微米精细CMOS工艺[J]微电子学.1989,(02)
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