钟志新
【姓名】 钟志新
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 S波段,GaAs,微波振荡,大功率,振荡,微波功率器件,动态,微波功率晶体管,场效应晶体管,砷化镓,输出功率,多晶硅,电子器件,栅宽,镇流电阻,双极晶体管,寿命试验,动态寿命试验,镇流,寄生电抗,设计...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]来萍,荣炳麟,冯敬东,范国华,金毓铨,钟志新,张晓明.微波功率器件动态寿命试验方法和技术研究[J]固体电子学研究与进展.2001,(01)
[2]王因生,林川,王佃利,王志楠,张树丹,黄仲平,康小虎,钟志新.L波段150W宽带硅脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.1997,(02)
[3]华培忠,翁瑞,王福臣,钟志新.3.5WS波段振荡用大功率GaAs FETs[J]固体电子学研究与进展.1992,(02)
[4]华培忠,王福臣,翁瑞,钟志新,马跃,梁波,杨玉昌.S波段振荡用大功率GaAs FET的设计和研制[J]固体电子学研究与进展.1993,(02)
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