郑承志
【姓名】 郑承志
【职称】 工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 半导体薄膜和微波功率器件等的研究
【发表文献关键词】 脉冲功率,L波段,电子器件,XPS,两相混合结构,禁带宽度,材料特性,击穿电场,饱和速度,宽禁带,载流子,微波功率晶体管,能带模型,X衍射,T形电极,晶体管,研究工作,内匹配,研究所,热导,掺砷,性能...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]王因生，陈正东，张树丹，谭卫东，郑承志，刘六亭，康小虎，周德红，陈统华.600　MHz　150W硅脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.1994,(02)
[2]谭卫东，张纪生，王志楠，张树丹，王因生，郑承志，刘六亭，康小虎.L波段150W硅脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.1994,(03)
[3]张树丹，王因生，李相光，陈统华，谭卫东，郑承志，刘六亭，陈培棣.C波段3瓦T形电极硅双极晶体管[J]半导体学报.1995,(01)
[4]谭卫东,张纪生,熊承堃,王因生,张树丹,刘六亭,郑承志,陈统华,陈正东.L波段100W硅脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.1993,(02)
[5]郑承志.微晶Si_(1-x)C_x:F:H薄膜X衍射和XPS研究[J]固体电子学研究与进展.1993,(03)
[6]张树丹,郑承志,王志楠.2GHz2W SiC/Si HBT[J]固体电子学研究与进展.1993,(03)
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