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[1]蔡勇,张利春,高玉芝,叶红飞1北京大学微电子学研究所,金海岩,张树丹.微波功率双极晶体管热分布的二维数值模拟及功率密度非均匀设计[J]半导体学报.2003,(02)
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[2]蔡勇,张利春,高玉芝,金海岩,叶红飞,张树丹.性能优良的RCA微波功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.2003,(02)
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[3]王因生,王志楠,陈红,林川,张树丹.L波段脉冲输出360W硅功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.2000,(01)
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[4]傅义珠,李相光,张树丹,王佃利,王因生,康小虎,姚长军.S波段100W硅脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.2000,(02)
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[5]傅义珠,张树丹,高雷,姚长军.2GHz 100W硅脉冲功率晶体管[J]世界产品与技术.2002,(02)
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[6]傅义珠,林川,张树丹,王佃利,王因生.3.1～3.4GHz50W硅功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.1999,(03)
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[7]王因生，陈正东，张树丹，谭卫东，郑承志，刘六亭，康小虎，周德红，陈统华.600 MHz 150W硅脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.1994,(02)
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[8]张树丹，陈统华.掺砷多晶硅在微波晶体管中的应用[J]固体电子学研究与进展.1994,(03)
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[9]谭卫东，张纪生，王志楠，张树丹，王因生，郑承志，刘六亭，康小虎.L波段150W硅脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.1994,(03)
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[10]张树丹，王因生，李相光，陈统华，谭卫东，郑承志，刘六亭，陈培棣.C波段3瓦T形电极硅双极晶体管[J]半导体学报.1995,(01)
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