尹志军
【姓名】 尹志军
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 InGaAs/GaAs异质结,低温砷化镓,赝配高电子迁移率晶体管,异质结场效应晶体管,掺杂分布,分子束外延,赝配结构高电子迁移率晶体管,异质结,二维电子气,沟道,微波毫米波,InGaAs/GaAs,调...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 南京
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[8]王伟;高汉超;于海龙;马奔;尹志军;李忠辉;.As/P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面的影响研究[J]固体电子学研究与进展.2020,(02)
[9]高汉超;尹志军;张朱峰;.100mm GaAs PHEMT外延材料生长稳定性控制研究[J]人工晶体学报.2015,(02)
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