谢自力
【姓名】 谢自力
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;化学;物理学;
【研究方向】 半导体材料研究工作
【发表文献关键词】 EL2缺陷,掺In,液封直拉GaAs,化学气相淀积(CVD),锗硅,锗烷,高真空化学汽相外延,Si_(1-x)Ge_x,InGaAs/GaAs异质结,异质结,异质结构,低温砷化镓,热处理,异质结场效应...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 南京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/22 13 1 20 51 1463
中国期刊全文数据库    共找到22篇
[1]谢自力,陈桂章,洛红,过海洲,严军.用于Si_(1-x)Ge_x异质结外延材料生长的高真空化学汽相外延炉[J]半导体技术.2000,(03)
[2]谢自力,邱凯,尹志军,方小华,王向武,陈堂胜.分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用(英文)[J]电子器件.2000,(04)
[3]谢自力,陈桂章,洛红,严军.VLP/CVD低温硅外延[J]微电子学.2001,(05)
[4]邱凯,尹志军,谢自力,方小华,王向武,将朝晖,陈建炉.PHPHEMT材料MBE生长及其应用(英文)[J]电子器件.2001,(03)
[5]谢自力,邱凯,尹志军,方小华,陈建炉,王向武,陈堂胜,高建峰.PHEMT结构材料及器件[J]微纳电子技术.2002,(02)
[6]谢自力,邱凯,尹志军,方晓华,陈建炉,蒋朝辉.Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的MBE优化工艺生长[J]微纳电子技术.2002,(08)
[7]谢自力.SI-GaAs单晶中深能级陷阱退火特性研究[J]半导体技术.2002,(07)
[8]邱凯,尹志军,谢自力.GaAs基异质结材料MBE生长及应用[J]固体电子学研究与进展.2002,(02)
[9]谢自力.掺InGaAs晶体中的EL2缺陷及其热处理[J]半导体技术.1999,(03)
[10]谢自力,陈桂章,洛红,过海洲,严军.低温低真空CVD生长锗硅异质结外延材料[J]半导体杂志.1999,(04)
更多