吴颖炜
【姓名】 吴颖炜
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 单晶,GaAs单晶,参考面,电子器件,晶片,密度检测,位错蚀坑,位错,迁移率,晶体,GaAsIC,南京,蚀坑,均匀性,电阻率,研究所,电学性能,晶向,退火时间,原生,SI－GaAs,位错密度,晶体性能...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]宋群厚,陈宏毅,赵周英,吴颖炜,朱志明,陈小宾,戴杰,竹正源.φ75mmSI-GaAs单晶的研制[J]固体电子学研究与进展.1997,(01)
[2]过海洲,吴颖炜.一种LEC-GaAs单晶位锗密度检测和参考面制定的方法[J]固体电子学研究与进展.1987,(01)
[3]过海洲,朱顺才,祝和,吴颖炜.退火对LEC SI GaAs单晶性能的影响[J]固体电子学研究与进展.1988,(03)
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