王志楠
【姓名】 王志楠
【职称】 工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 脉冲功率,L波段,禁带宽度,材料特性,击穿电场,饱和速度,微波功率晶体管,宽禁带,超大功率,电子器件,载流子,声放大器,研究工作,低噪,掺砷,热导,发射极,晶体,性能,内匹配,输出功率,前景,多晶硅,...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 江苏南京
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[1]王因生;陶有迁;徐全胜;金毓铨;傅义珠;丁晓明;王志楠;.L波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验[J]固体电子学研究与进展.2011,(05)
[2]王因生;丁晓明;蒋幼泉;傅义珠;王佃利;王志楠;盛国兴;严德圣;.1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管[J]固体电子学研究与进展.2012,(04)
[3]王因生,王志楠,陈红,林川,张树丹.L波段脉冲输出360W硅功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.2000,(01)
[4]林川,王志楠,王因生.800MHz800W固态脉冲功放组件[J]固体电子学研究与进展.2000,(04)
[5]来萍,何小琦,冯敬东,牛付林,王因生,王志楠,付义珠.脉冲功率器件直流和动态热特性探测[J]电子产品可靠性与环境试验.2002,(05)
[6]谭卫东，张纪生，王志楠，张树丹，王因生，郑承志，刘六亭，康小虎.L波段150W硅脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.1994,(03)
[7]王因生，王志楠，林川，王伯利，康小虎，张树丹.超大功率L波段脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.1996,(02)
[8]王志楠.ATF－36077在C波段低噪声放大器上的应用[J]国外电子元器件.1996,(11)
[9]王因生,林川,王佃利,王志楠,张树丹,黄仲平,康小虎,钟志新.L波段150W宽带硅脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.1997,(02)
[10]张树丹,郑承志,王志楠.2GHz2W SiC/Si HBT[J]固体电子学研究与进展.1993,(03)
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