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[2]王向武,李肖,张岚,黄子乾,潘彬.MOCVD AlGaAs/GaAs HBT材料生长中基区、发射区结偏位的分析与控制[J]固体电子学研究与进展.2004,(04)
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[8]邱凯,尹志军,谢自力,方小华,王向武,将朝晖,陈建炉.PHPHEMT材料MBE生长及其应用(英文)[J]电子器件.2001,(03)
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[9]谢自力,邱凯,尹志军,方小华,陈建炉,王向武,陈堂胜,高建峰.PHEMT结构材料及器件[J]微纳电子技术.2002,(02)
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