王会智
【姓名】 王会智
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 数字衰减器,超宽带,MMIC,高性能,衰减器,片数,电子器件,衰减精度,插入相移,南京,减步,参考态,平坦度,电压驻波比,插入损耗,主要性能指标,衰减量,GaAs,衰减方式,栅宽,
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 南京
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[1]王会智;李拂晓;.高性能超宽带单片数字衰减器设计与实现[J]半导体学报.2006,(06)
[2]王会智,沈亚,蒋幼泉,李拂晓,张斌.一种新颖的4bit和5bit超宽带Ga As单片数字衰减器[J]半导体学报.2005,(03)
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