孙娟
【姓名】 孙娟
【职称】 工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 二维电子气,调制掺杂,HFET,InGaAs/GaAs,GaAs,调制掺杂结构,分子束外延,异质结,缓冲层,低温生长,PM-HEMT,生长研究,超晶格,光调制反射光谱,电子器件,应变量子阱,低温GaA...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 南京
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[1]孙娟;蒋海涛;徐海林;赵晓红;.声表面波器件电子束淀积Al膜研究[J]微纳电子技术.2008,(06)
[2]彭正夫,张允强,龚朝阳,高翔,孙娟,吴鹏.InGaAs/GaAs异质结构材料及器件应用[J]固体电子学研究与进展.1994,(03)
[3]彭正夫,张允,龚朝阳,高翔,孙娟,吴鹏.新颖的微波器件材料──InGaAs/GaAs异质结构[J]半导体杂志.1994,(01)
[4]陈培棣,蒋海涛,尤民,孙娟,夏兆锋.NDR系列声表面波谐振器批生产技术研究[J]电子工程师.1998,(04)
[5]张允强,彭正夫,高翔,孙娟,黄文裕.Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的生长研究[J]固体电子学研究与进展.1992,(02)
[6]彭正夫,张允强,高翔,孙娟,朱顺才.调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的研究[J]固体电子学研究与进展.1992,(04)
[7]张允强,彭正夫,高翔,曹苏榕,孙娟.分子束外延低温生长GaAs缓冲层[J]固体电子学研究与进展.1992,(04)
[8]彭正夫,张允强,龚朝阳,高翔,孙娟.InGaAs/GaAs HFET研制取得初步结果[J]固体电子学研究与进展.1992,(04)
[9]张允强,高翔,彭正夫,孙娟,蒋树声,章灵军.分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格及结构、光学特性研究[J]固体电子学研究与进展.1993,(01)
[10]高翔,张允强,孙娟,彭正夫,蒋树声,章灵军.应变超晶格In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的电镜和光谱研究[J]固体电子学研究与进展.1993,(03)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]孙娟;谢自力;邱凯;尹志军;.(311)A GaAs衬底掺Si GaAs/AlGaAs p沟HFET结构材料特性[A].第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
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