盛文伟
【姓名】 盛文伟
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 非晶硅,异质结,单晶硅,电学特性,发射极,微波晶体管,双极型晶体管,近期进展,氢化非晶硅薄膜,GaP薄膜,高掺杂,二维电子气,异质界面,氢化,电流增益,高频性能,电子器件,基区电阻,氢化非晶硅,自对准...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 南京
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[1]陈克金，顾炯，盛文伟，毛昆纯，林金庭.GaAs亚微米自对准工艺技术研究[J]固体电子学研究与进展.1994,(02)
[2]张明,刘立峰,盛文伟,刘良俊,朱恩均.非晶硅/单晶硅n~+p异质结的制备及其电学特性的研究[J]固体电子学研究与进展.1987,(03)
[3]王因生,熊承堃,盛文伟,张晓明,汪建元,茅保华,朱恩均.氧化非晶硅发射极微波晶体管近期进展[J]固体电子学研究与进展.1989,(01)
[4]盛文伟.高掺杂氢化非晶硅薄膜[J]固体电子学研究与进展.1989,(03)
[5]王因生,盛文伟,张晓明,王晓雯,茅保华.极高效a-Si:H发射异质结UHF功率晶体管(英文)[J]固体电子学研究与进展.1989,(04)
[6]王因生,盛文伟,汪建元,张晓明,熊承堃,朱恩均.Si/a-Si:H异质结微波双极型晶体管实验研究[J]半导体学报.1989,(06)
[7]徐剑虹,盛文伟,熊承堃,朱恩均,陈坤基.用PECVD法制备非晶态GaP薄膜[J]固体电子学研究与进展.1990,(01)
[8]王因生,盛文伟,张晓明,王晓雯.低电压高效率非晶硅发射极异质结UHF功率晶体管[J]半导体学报.1991,(01)
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