盛国兴
【姓名】 盛国兴
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 硅微波功率器件研究与模块电路开发
【发表文献关键词】 电子器件,脉冲功率,南京,研究所,晶体,增益性能,发射极,击穿电压,功率晶体管,PN结,基区,硅微波功率晶体管,集边效应,宽度效应,台面工艺,集电极最大电流,微波功率晶体管,注入效应,微波大功率,大功...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 南京
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[1]吕勇;王佃利;盛国兴;蒋幼泉;.Si腐蚀工艺的优化[J]固体电子学研究与进展.2014,(02)
[2]王佃利;刘洪军;吕勇;严德圣;盛国兴;王因生;蒋幼泉;.硅LDMOS射频功率器件的发展历程与趋势[J]固体电子学研究与进展.2011,(02)
[3]傅义珠;盛国兴;.微波硅功率双极型管脉冲顶降和增益压缩特性分析[J]固体电子学研究与进展.2011,(04)
[4]王因生;丁晓明;蒋幼泉;傅义珠;王佃利;王志楠;盛国兴;严德圣;.1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管[J]固体电子学研究与进展.2012,(04)
[5]王因生;李相光;傅义珠;丁晓明;王佃利;盛国兴;康小虎;陶有迁;.1.44~1.68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.2006,(01)
[6]傅义珠;李相光;戴学梅;盛国兴;王因生;王佃利;.3.1~3.4GHz 120W硅脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.2006,(01)
[7]吴鹏;林川;傅义珠;盛国兴;戴学梅;康小虎;王因生;.2.7-3.4GHz超宽带长脉宽硅功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.2006,(02)
[8]王因生;李相光;傅义珠;王佃利;丁晓明;盛国兴;康小虎;.1.46~1.66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管[J]半导体学报.2008,(05)
[9]傅义珠;戴学梅;康小虎;盛国兴;叶宗祥;方圆;王因生;王佃利;吴鹏;.双层金属电极对硅功率晶体管结温的改善[J]固体电子学研究与进展.2008,(03)
[10]傅义珠,李学坤,戴学梅,王佃利,王因生,周德红,康小虎,梅海,盛国兴,陈刚.2.2～2.4 GHz 110W硅脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.2003,(01)
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