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[2]邱凯,张晓娟,陈建炉.MBE生长InGaAs/In_(0.32≤x≤0.52)Al_(1-x)As MM-HEMT材料[J]微纳电子技术.2003,(06)
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[3]谢自力,邱凯,尹志军.RHEED优化MBE异质材料生长工艺[J]微纳电子技术.2003,(10)
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[4]谢自力,邱凯,尹志军,方小华,王向武,陈堂胜.分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用(英文)[J]电子器件.2000,(04)
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[5]邱凯,尹志军,谢自力,方小华,王向武,将朝晖,陈建炉.PHPHEMT材料MBE生长及其应用(英文)[J]电子器件.2001,(03)
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[6]谢自力,邱凯,尹志军,方小华,陈建炉,王向武,陈堂胜,高建峰.PHEMT结构材料及器件[J]微纳电子技术.2002,(02)
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[7]谢自力,邱凯,尹志军,方晓华,陈建炉,蒋朝辉.Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的MBE优化工艺生长[J]微纳电子技术.2002,(08)
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[8]邱凯,尹志军,谢自力.GaAs基异质结材料MBE生长及应用[J]固体电子学研究与进展.2002,(02)
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