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林树治
【姓名】
林树治
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
MESFET,磁阻法,迁移率,噪声性能,低噪声,有源层,沟道,栅压,GaAs,栅偏压,缓冲层,沟道迁移率,器件噪声,串联电阻R,界面区,分布曲线,几何磁阻效应,夹断,沟道电导,材料质量,
【工作单位】
南京电子器件研究所
【曾工作单位】
南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]张琦,林树治.
用几何磁阻法分析低噪声MESFET的噪声性能
[J]固体电子学研究与进展.1989,(01)
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