李祖华
【姓名】 李祖华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MESFET,热阻,GaAs,Ku频段,双势垒,大功率,砷化镓,功率FET,量子共振,内匹配,芯片,场效应管,GaAs功率MESFET,寄生参数,隧穿,单片电路,电子器件,器件性能,Ku波段,背面通孔...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 江苏南京
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[1]李祖华,王霄,陈辰,林罡,戴新峰.毫米波固态器件及模块技术进展[J]真空电子技术.2003,(06)
[2]田彤,罗晋生,吴顺君,李祖华,陈堂胜,林金庭.集成化平面肖特基变容管微波C-V特性物理模型[J]固体电子学研究与进展.2001,(04)
[3]李祖华.GaAs功率MESFET热阻测试与分析[J]固体电子学研究与进展.1994,(01)
[4]陈培杖，李祖华，徐菊仙，安.AlAs／GaAs双势垒量子共振隧穿二极管[J]稀有金属.1994,(04)
[5]李祖华.Ku波段8W　GaAs内匹配微波功率FET[J]固体电子学研究与进展.1995,(02)
[6]陈克金，周焕文，李祖华.Ku波段高功率GaAs　FET[J]固体电子学研究与进展.1996,(01)
[7]顾炯,陈克金,蒋幼泉,李祖华,陈堂胜.用于移动通信的GaAs单片功率放大器[J]固体电子学研究与进展.1997,(01)
[8]范国华,刘晓平,金毓铨,吴亚洁,颀世惠,李祖华.GaAs微波功率FET可靠性评价技术研究[J]固体电子学研究与进展.1997,(02)
[9]陈继义,蒋幼泉,陈堂胜,刘琳,王泉慧,吴禄训,李祖华.多栅砷化镓单片集成双刀双掷功率开关[J]固体电子学研究与进展.1997,(04)
[10]陈克金,李祖华.Ku频段3W GaAs大功率MESFET[J]固体电子学研究与进展.1993,(02)
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