将朝晖
【姓名】 将朝晖
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 低温砷化镓,赝配高电子迁移率晶体管,分子束外延,MBE生长,英文,电子器件,南京,PHEMT器件,研究所,PHEMT,栅长,好结果,阻挡层,器件性能,缓冲层,Fritz,V表,生长条件,自力,沟道,
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]邱凯,尹志军,谢自力,方小华,王向武,将朝晖,陈建炉.PHPHEMT材料MBE生长及其应用(英文)[J]电子器件.2001,(03)
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