学者知网节

【姓名】	黄念宁
【职称】	高级工程师;
【研究领域】	无线电电子学;电信技术;电力工业;
【研究方向】	技术管理的工作
【发表文献关键词】	PHEMT,K波段,MMIC,退火,砷化镓单片,射频开关,SPDT,I-V特性,功率放大,单刀双掷,欧姆接触,表面分析,PHEMT器件,电子器件,碳化硅,低插损,MESFET,4H-SiC,在片测试,...
【工作单位】	南京电子器件研究所
【曾工作单位】	南京电子器件研究所;
【所在地域】	南京

中国期刊全文数据库 共找到21篇

[1]王溯源;章军云;彭龙新;黄念宁;.基于248 nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器[J]电子与封装.2019,(08)

[2]吴少兵;李建平;李忠辉;高建峰;黄念宁;.Ka波段GaN单片低噪声放大器研制[J]固体电子学研究与进展.2018,(02)

[3]于永洲;孙光峤;黄念宁;林罡;祁玉发;.军工电子实施MES的制约要素与解决策略[J]电子与封装.2018,(06)

[4]朱赤;王溯源;章军云;林罡;黄念宁;.光刻胶流淌实现深亚微米栅工艺[J]固体电子学研究与进展.2018,(04)

[5]章军云;王溯源;林罡;黄念宁;.基于248 nm光刻机工艺的高性能0.15μm GaAs LN pHEMT[J]电子与封装.2018,(11)

[6]吴少兵;王维波;郭方金;高建峰;黄念宁;.基于70nm GaAs MHEMT工艺的W波段低噪声放大器[J]固体电子学研究与进展.2017,(02)

[7]黄念宁;韩克锋;蔡立康;王彦硕;.源漏区域孔阵列挖槽对氮化镓n型欧姆接触的影响[J]固体电子学研究与进展.2017,(03)

[8]韩克锋;黄念宁;章军云;刘世郑;高建峰;.硫化铵表面处理对GaAs HEMT/PHEMT器件性能的改善[J]固体电子学研究与进展.2014,(06)

[9]黄念宁;韩克锋;高喜庆;邹鹏辉;高建峰;.采用复合帽层改善GaAs HEMT/PHEMT的欧姆接触特性[J]固体电子学研究与进展.2015,(02)

[10]韩克锋;黄念宁;吴少兵;秦桂霞;.0.15μm Y型栅高In沟道GaAs PHEMT低噪声器件设计[J]固体电子学研究与进展.2015,(03)

中国重要会议全文数据库 共找到1篇

[1]蒋幼泉;李拂晓;黄念宁;陈继义;邵凯;杨乃彬;.手机用砷化镓单刀双掷射频开关[A].2001年全国微波毫米波会议论文集.2001-10-01

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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