胡荣中
【姓名】 胡荣中
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 微波半导体器件研究
【发表文献关键词】 常γ变容管,射频集成电路,砷化镓,移动通信,器件设计,MMIC,MESFET,PHEMT,变容二极管,设计与实验研究,射频,变容管,外延材料,半导体,发射极,基区,外延层,结电容,双极晶体管,晶体管技...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]胡荣中.移动通信中的射频集成电路[J]固体电子学研究与进展.2000,(04)
[2]潘乃琦,胡荣中,林叶.常γ砷化镓电调变容二极管设计与实验研究[J]固体电子学研究与进展.1992,(04)
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