郝达兵
【姓名】 郝达兵
【职称】 工程师;
【研究领域】 无线电电子学;仪器仪表工业;
【研究方向】 微波、毫米波器件的研究和开发工作
【发表文献关键词】 激活能,各向异性腐蚀,碳化硅材料,成核生长,等离子化学汽相淀积,碳化硅薄膜,表面粗糙度,CVD方法,应力模型,电容耦合,表面激活,β-SiC,粗糙度,反应气体,腐蚀液,硅衬底,热丝CVD法,微电子,样...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 江苏南京
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[1]夏牟;郝达兵;.RF MEMS的关键技术与器件[J]电子与封装.2006,(01)
[2]郝达兵,姜岩峰,黄庆安,王维波.各向异性腐蚀表面粗糙度的“应力模型”[J]光电子技术.2003,(03)
[3]姜岩峰,郝达兵,黄庆安.RF等离子辅助热丝CVD法制备大面积β-SiC薄膜[J]固体电子学研究与进展.2005,(02)
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