韩纬宇
【姓名】 韩纬宇
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 DX中心,HEMT,HEMT器件,电学特性,DLTS测量,影响研究,深能级,栅电容,饱和电流,噪声系数,温度特性,光照条件,温度范围,C—V特性,温度,理论计算,理论分析,源电流,空间电荷区,栅压,
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]韩纬宇,陈培杕,陈效建,刘良俊.HEMT-Al_(0.3)Ga_(0.7)As层中DX中心对器件电学特性的影响研究[J]固体电子学研究与进展.1988,(02)
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