顾炯
【姓名】 顾炯
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 单片功率放大器,GaAs,自对准,刻蚀速率,反应离子刻蚀,MESFET,电子器件,平面工艺,大信号状态,离子注入,匹配电路,形貌,管芯,难熔栅,亚微米,固态源,微波中继站,卫星接收系统,输入匹配,片通...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]陈克金，顾炯，盛文伟，毛昆纯，林金庭.GaAs亚微米自对准工艺技术研究[J]固体电子学研究与进展.1994,(02)
[2]顾炯，盛文伟.利用反应离子刻蚀实现GaAs晶片通孔工艺[J]固体电子学研究与进展.1994,(02)
[3]顾炯,陈硕颀,王福臣,过常宁,林金庭.两级GaAs单片功率放大器[J]固体电子学研究与进展.1990,(04)
[4]顾炯,陈硕颀,王福臣,过常宁,林金庭.两级GaAs单片功率放大器[J]固体电子学研究与进展.1991,(03)
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