龚朝阳
【姓名】 龚朝阳
【职称】 工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 HFET,InGaAs/GaAs,InGaAs／GaAs,退化模型,敏感参数,GaAs,微波器件,异质结构,失效分析,异质结,快速试验方法,饱和速度,霍尔效应,HEMT,电子器件,InGaAs,可靠性...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]彭正夫，张允强，龚朝阳，高翔，孙娟，吴鹏.InGaAs／GaAs异质结构材料及器件应用[J]固体电子学研究与进展.1994,(03)
[2]彭正夫，张允，龚朝阳，高翔，孙娟，吴鹏.新颖的微波器件材料──InGaAs／GaAs异质结构[J]半导体杂志.1994,(01)
[3]彭正夫,张允强,龚朝阳,高翔,孙娟.InGaAs/GaAs HFET研制取得初步结果[J]固体电子学研究与进展.1992,(04)
[4]娄书礼,龚朝阳,金毓铨,苏德青.微波器件失效率快速试验方法研究[J]固体电子学研究与进展.1993,(04)
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