|
[1]彭正夫，张允强，龚朝阳，高翔，孙娟，吴鹏.InGaAs／GaAs异质结构材料及器件应用[J]固体电子学研究与进展.1994,(03)
|
|
[2]彭正夫，张允，龚朝阳，高翔，孙娟，吴鹏.新颖的微波器件材料──InGaAs／GaAs异质结构[J]半导体杂志.1994,(01)
|
|
[3]张允强,彭正夫,高翔,孙娟,黄文裕.Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的生长研究[J]固体电子学研究与进展.1992,(02)
|
|
[4]彭正夫,张允强,高翔,孙娟,朱顺才.调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的研究[J]固体电子学研究与进展.1992,(04)
|
|
[5]张允强,彭正夫,高翔,曹苏榕,孙娟.分子束外延低温生长GaAs缓冲层[J]固体电子学研究与进展.1992,(04)
|
|
[6]彭正夫,张允强,龚朝阳,高翔,孙娟.InGaAs/GaAs HFET研制取得初步结果[J]固体电子学研究与进展.1992,(04)
|
|
[7]张允强,高翔,彭正夫,孙娟,蒋树声,章灵军.分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格及结构、光学特性研究[J]固体电子学研究与进展.1993,(01)
|
|
[8]高翔,张允强,孙娟,彭正夫,蒋树声,章灵军.应变超晶格In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的电镜和光谱研究[J]固体电子学研究与进展.1993,(03)
|
|
[9]彭正夫,张允强,高翔,孙娟,吴鹏.MBE生长In_(0.52)Al_(0.48)AS/In_(0.53)Ga_(0.47)AS/InP材料[J]固体电子学研究与进展.1993,(03)
|
|
[10]章灵军,薛舫时,张允强,彭正夫,高翔.δ掺杂样品中空穴态的新行为[J]固体电子学研究与进展.1993,(04)
|
|
更多
|