高建峰
【姓名】 高建峰
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 砷化镓单片电路与器件研究
【发表文献关键词】 赝配高电子迁移率晶体管,PHEMT,赝配结构高电子迁移率晶体管,毫米波,Ka波段,功率放大器,多栅场效应晶体管,微波毫米波,砷化镓单片集成电路,二维电子气,异质结,单片开关,高成品率,双刀双掷开关,分...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 南京
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[5]吴少兵;高建峰;王维波;章军云;.W波段GaN单片功率放大器研制[J]固体电子学研究与进展.2016,(04)
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[8]邹鹏辉;黄念宁;王彦硕;高建峰;林罡;徐筱乐;.电子束蒸发速率对Ti/GaAs肖特基势垒特性的影响[J]固体电子学研究与进展.2015,(05)
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[10]蔡利康;彭劲松;高建峰;.基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的相移掩膜光刻技术研究[J]固体电子学研究与进展.2014,(03)
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[2]韩春林;张杨;曾一平;高建峰;薛舫时;陈辰;.InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究[A].2007年全国微波毫米波会议论文集（上册）.2007-10-01
[3]韩春林;薛舫时;高建峰;陈辰;.InP基共振遂穿二极管研究[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[4]应子罡;吕昕;高本庆;李拂晓;高建峰;.SOLT校准法在MMIC去嵌入问题中的应用[A].2004全国测控、计量与仪器仪表学术年会论文集（上册）.2004-09-01
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