方小华
【姓名】 方小华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 InGaAs/GaAs异质结,低温砷化镓,异质结场效应晶体管,赝配高电子迁移率晶体管,掺杂分布,分子束外延,赝配结构高电子迁移率晶体管,微波毫米波,二维电子气,异质结,PHEMT,沟道,InGaAs/...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 南京
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[1]谢自力,邱凯,尹志军,方小华,王向武,陈堂胜.分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用(英文)[J]电子器件.2000,(04)
[2]邱凯,尹志军,谢自力,方小华,王向武,将朝晖,陈建炉.PHPHEMT材料MBE生长及其应用(英文)[J]电子器件.2001,(03)
[3]谢自力,邱凯,尹志军,方小华,陈建炉,王向武,陈堂胜,高建峰.PHEMT结构材料及器件[J]微纳电子技术.2002,(02)
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