戴学梅
【姓名】 戴学梅
【职称】 工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 硅微波功率器件工艺研究
【发表文献关键词】 电子器件,脉冲功率,南京,研究所,晶体,增益性能,发射极,击穿电压,功率晶体管,PN结,基区,硅微波功率晶体管,集边效应,宽度效应,台面工艺,集电极最大电流,微波功率晶体管,注入效应,微波大功率,大功...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 南京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/4 4 0 0 6 192
中国期刊全文数据库    共找到4篇
[1]傅义珠;李相光;戴学梅;盛国兴;王因生;王佃利;.3.1~3.4GHz 120W硅脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.2006,(01)
[2]吴鹏;林川;傅义珠;盛国兴;戴学梅;康小虎;王因生;.2.7-3.4GHz超宽带长脉宽硅功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.2006,(02)
[3]傅义珠;戴学梅;康小虎;盛国兴;叶宗祥;方圆;王因生;王佃利;吴鹏;.双层金属电极对硅功率晶体管结温的改善[J]固体电子学研究与进展.2008,(03)
[4]傅义珠,李学坤,戴学梅,王佃利,王因生,周德红,康小虎,梅海,盛国兴,陈刚.2.2～2.4 GHz 110W硅脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.2003,(01)
更多