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陈钟谋
【姓名】
陈钟谋
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
寿命计算,热离子,宽势阱光电器件,少子库,x射线,寿命,象素,势阱,光电子,载流子传输,两极管,硅半导体,势垒高度,隧道效应,光电二极管,软x射线,吸收剂量,光电阴极,势井,势垒,器件寿命,半导体光电...
【工作单位】
南京电子器件研究所
【曾工作单位】
南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]陈钟谋,桂德成,朱健,钱辉作.
宽势阱半导体光电器件研究
[J]固体电子学研究与进展.2000,(02)
[2]陈钟谋.
新型热离子光电探测器
[J]电子学报.1996,(02)
[3]陈钟谋,张吉登.
EBS-CCD背照器件的寿命计算
[J]电子学报.1987,(04)
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研究方向相近的学者
(学者,学者单位)
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合作过的学者
(学者,学者单位,篇数)
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朱健
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张吉登
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